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金曜日, 4月 17, 2026
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新エネルギーの基礎知識:光起電力効果

光起電力効果

 

<英語>photovoltaic effect

<中国語>光生伏特效应

 

解釈

 

<日本語>

光の照射によって物体中に起電力が発生する現象で、半導体などの界面で起こるものをいう。これには、同一半導体のp型とn型の接触によるp-n接合部(同質接合)、異なった半導体の接触による接合部(異質接合)、半導体と金属の接触であるショットキー接合部などによるものがある。p-n接合部、あるいはショットキー接合部に励起光を照射すると発生した電子と正孔が界面の電場により引き分けられ電位差が生ずる。異質接合の場合には、接合部でのエネルギー帯の構造によっては、光の波長によって両端に生じる起電力の符号をかえられるようなものもある。これらの効果は、光検出器として、フォトダイオードや、フォトトランジスターとして利用され、また、太陽電池のようなエネルギー変換器としても利用される。

 

<英語>

The phenomenon of generating electromotive force in objects under light, occurring on surfaces such as semiconductors. These include p-n junctions produced by P-type and N-type contacts of the same semiconductor (homojunction), junctions produced by different semiconductor contacts (heterojunction), schottky junctions between semiconductors and metals, etc. When the p-n junction, or schottky junction, is illuminated by excitation light, the resulting electrons and holes are separated by an electric field on the surface, resulting in a potential difference. When heterojunction, according to the energy band structure of the joint site, the electromotive force symbol generated at both ends can also be changed according to the wavelength of light. These effects can be used as photodetectors, photodiodes and phototransistors, as well as as energy converters such as solar cells.

 

<中国語>

该效应简称“光伏效应”。指在光照下物体中产生电动势的现象,发生在半导体等表面。其中包括同一半导体的p型和n型接触产生的p-n接合(同质接合)、不同半导体接触产生的接合(异质接合)、半导体与金属接触的schottky接合等。p-n接合部位,或者schottky接合部位被激发光照射时,所产生的电子和空穴被表面的电场分开而产生电势差。异质接合时,根据接合部位的能量带结构,还可以根据光的波长改变两端产生的电动势符号。这些效果可作为光电检测器、光电二极管和光电晶体管使用,还可作为太阳能电池等能源转换器使用。

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